BES M12MG-PSC80F-S04G, BES004N Induktive Sensoren

Artikel Nr.: E241249757 Type: BES M12MG-PSC80F-S04G Hersteller Nr.:BES004N
BES M12MG-PSC80F-S04G Induktiver Sensor, BES004N
Unsere induktiven Sensoren in Standard-Ausführung sind ideal für die Objekterkennung im Metallbereich. Sie sind kurzschlussfest und arbeiten berührungslos, das heißt, sie sind verschleißfrei und sehr verschmutzungsunempfindlich. Die Sensoren erhalten Sie in Bauformen ab Ø 3 mm bis 80 × 80 mm Quaderabmessung. Besonders wirtschaftliche Lösungen ermöglichen Ihnen die robusten und zuverlässigen induktiven Global-Sensoren. Die breite Palette dieser über 500 Vorzugsvarianten können wir weltweit auch in hohen Stückzahlen kurzfristig liefern. Abmessung=Ø 12 x 60 mm, Bauform=M12x1, Einbau=nicht bündig, Reichweite=8 mm, Schaltausgang=PNP Schließer (NO), Schaltfrequenz=1000 Hz, Gehäusematerial=Messing, Oberflächenschutz=nickelfrei beschichtet, Aktive Fläche, Material=PBT, Anschluss=Steckverbinder, M12x1-Stecker, 4-polig, Betriebsspannung Ub=10...30 VDC, Umgebungstemperatur=-25...70 °C, Schutzart=IP68, Zulassung/Konformität=CEcULusEACWEEE
Technische Details
Hersteller Balluff
Lieferstatus Lager
Artikelnummer E241249757
Höhe des Sensors 60 mm
Max. Ausgangsstrom am sicheren Ausgang 200 mA
Explosionsschutz-Kategorie für Gas ohne
Explosionsschutz-Kategorie für Staub ohne
Herkunftsland Ungarn
Durchmesser des Sensors 12 mm
Beschichtung Gehäuse sonstige
Zolltarifnummer 85365019
Länge des Sensors 65 mm
Druckfest Nein
Ausführung der Schnittstelle für sicherheitsgerichtete Kommunikation ohne
Kaskadierbar Nein
Ausführung der Schnittstelle ohne
Schaltabstand 8 mm
Ausführung der Schaltfunktion Schließer
Mechanische Einbaubedingung für Sensor nicht bündig
Ausführung des Schaltausgangs PNP
Ausführung des Elektrischenanschlusses Steckverbinder M12
Art der Betätigung metallisches Target
Funkstandard Bluetooth Nein
Gehäusebauform Zylinder. Gewinde
Versorgungsspannung_R 10...30 V
Bemessungssteuerspeisespannung Us bei DC 12...30 V
Spannungsart DC
Schaltfrequenz 800 Hz
Werkstoff des Gehäuses Metall
Versorgungsspannung 10...30
Anzahl der sicheren Halbleiter-Ausgänge 1
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