BES M12MG-PSC80F-S04G, BES004N Induktive Sensoren

Artikel Nr.: E241249757 Type: BES M12MG-PSC80F-S04G Hersteller Nr.:BES004N

BES M12MG-PSC80F-S04G Induktiver Sensor, BES004N

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Unsere induktiven Sensoren in Standard-Ausführung sind ideal für die Objekterkennung im Metallbereich. Sie sind kurzschlussfest und arbeiten berührungslos, das heißt, sie sind verschleißfrei und sehr verschmutzungsunempfindlich. Die Sensoren erhalten Sie in Bauformen ab Ø 3 mm bis 80 × 80 mm Quaderabmessung. Besonders wirtschaftliche Lösungen ermöglichen Ihnen die robusten und zuverlässigen induktiven Global-Sensoren. Die breite Palette dieser über 500 Vorzugsvarianten können wir weltweit auch in hohen Stückzahlen kurzfristig liefern. Abmessung=Ø 12 x 60 mm, Bauform=M12x1, Einbau=nicht bündig, Reichweite=8 mm, Schaltausgang=PNP Schließer (NO), Schaltfrequenz=1000 Hz, Gehäusematerial=Messing, Oberflächenschutz=nickelfrei beschichtet, Aktive Fläche, Material=PBT, Anschluss=Steckverbinder, M12x1-Stecker, 4-polig, Betriebsspannung Ub=10...30 VDC, Umgebungstemperatur=-25...70 °C, Schutzart=IP68, Zulassung/Konformität=CEcULusEACWEEE

Technische Details

Technische Details
Hersteller	Balluff
Lieferstatus	Lager
Artikelnummer	E241249757
Höhe des Sensors	60 mm
Max. Ausgangsstrom am sicheren Ausgang	200 mA
Explosionsschutz-Kategorie für Gas	ohne
Explosionsschutz-Kategorie für Staub	ohne
Herkunftsland	Ungarn
Durchmesser des Sensors	12 mm
Beschichtung Gehäuse	sonstige
Zolltarifnummer	85365019
Länge des Sensors	65 mm
Druckfest	Nein
Ausführung der Schnittstelle für sicherheitsgerichtete Kommunikation	ohne
Kaskadierbar	Nein
Ausführung der Schnittstelle	ohne

Schaltabstand	8 mm
Ausführung der Schaltfunktion	Schließer
Mechanische Einbaubedingung für Sensor	nicht bündig
Ausführung des Schaltausgangs	PNP
Ausführung des Elektrischenanschlusses	Steckverbinder M12
Art der Betätigung	metallisches Target
Funkstandard Bluetooth	Nein
Gehäusebauform	Zylinder. Gewinde
Versorgungsspannung_R	10...30 V
Bemessungssteuerspeisespannung Us bei DC	12...30 V
Spannungsart	DC
Schaltfrequenz	800 Hz
Werkstoff des Gehäuses	Metall
Versorgungsspannung	10...30
Anzahl der sicheren Halbleiter-Ausgänge	1

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